Folha de hafnium para equipamentos semicondutores

A folha de hafnium para equipamentos semicondutores precisa atender aos seguintes requisitos:
1. Ultra alta pureza e baixa poluição

• Conteúdo de hafnium maior ou igual a 99,95%, controlam estritamente elementos de emissão de partículas alfa, como urânio (U) e tório (Th) (<0.001 ppm) to avoid contaminating wafers or causing soft errors.

2. Resistência ao plasma e corrosão a gás halogênio

• Possui resistência extremamente alta a gases de gravação, como CF ₄, Cl ₂, Bcl ∝ e bombardeio de plasma, com uma taxa anual de corrosão inferior a 0,005 mm e uma vida útil de mais de 10 vezes a do aço inoxidável.

3. Estabilidade de alta temperatura e baixa expansão térmica

• O ponto de fusão é de cerca de 2233 graus C, e não se deforma em temperaturas do processo de 300-600 graus C. Seu coeficiente de expansão térmica (6,5 × 10 ⁻⁶/k) é próxima do de silício, reduzindo os desvios do processo causados ​​pelo estresse térmico.

4. Excelente desempenho a vácuo

• A taxa de liberação de gás é extremamente baixa (de acordo com o padrão ASTM E595), evitando a liberação de gás e a contaminação do filme em ambientes de alto vácuo, como câmaras de CVD e PVD.
  

  

  

Os cenários de aplicação da folha de hafnium nos semicondutores são os seguintes:
1. Equipamento de gravação de plasma

• Placa do eletrodo: como a placa do cátodo/ânodo do plasma acoplado capacitivo (CCP) ou máquinas de gravação de plasma acopladas indutivamente (ICP), ela pode suportar alta erosão plasmática de frequência.
• LINHO INTERIOR: protege as paredes da câmara de reação contra gases corrosivos, reduz a contaminação por metal e a geração de partículas.

2. Equipamento de deposição de filme fino

• CVD/PVD confundem e máscaras: usados ​​nos processos de deposição de vapor químico (DCV) e deposição física de vapor (PVD), resistentes a altas temperaturas e não envolvidas em reações.
• Substrato do aquecedor: como substrato de suporte para aquecedores de cerâmica, ele fornece um campo térmico uniforme e é poluição - livre.

3. Implante de íons e equipamento de recozimento

• LINHO DE PIPELO DE VELO: resistente a alta - Íon Energia Sputtering, mantendo longa - estabilidade dimensional do termo.
• Folha de isolamento do forno de recozimento: isola o campo térmico durante o processo alto de recozimento de temperatura - para impedir que as impurezas se difuçam na wafer.

4. Transporte e transporte de wafer

• Padra de garra de braço robótico a vácuo: evite o contato direto com a bolacha, reduza a contaminação das partículas e os danos eletrostáticos.
• Suporte de barco artesanal: suporta bolachas de silício sem deformação durante os processos de temperatura -, garantindo consistência do lote.

A folha de hafnium para equipamentos semicondutores resolve os requisitos extremos para resistência à corrosão, limpeza e estabilidade térmica em processos -chave, como gravação e deposição por meio de controle de alta pureza, usinagem de precisão e tecnologia de otimização de superfície. Sua aplicação está diretamente relacionada à precisão do processo, confiabilidade do dispositivo e custo da linha de produção da fabricação de chips, e é um material funcional indispensável em processos avançados (como abaixo de 7 nm).

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